４. おわりに（60）写真 2 AFTEX-8200写真 3 AFTEX-9800図 1 AFTEX-9800 配置例（搬送室１，成膜室３）写真 4 AFALD8ま た、ECR プ ラ ズ マ 源 1 基 搭 載 の AFTEX-9000 シリーズの場合は、用途に合わせて 1 台から 3 台を組合せて用いることで、フレキシブルな運用が可能な装置となっている。そして当社では、ECR プラズマ技術を用いた CVD （化学気相成長）装置“AFTEX-1000”を開発、上市した。CVD 法は、成膜したい材料の元素からなる原料ガスを分解、化学反応させて薄膜を形成する方法であり、スパッタ法が苦手な高速での成膜と膜応力の制御が可能である。この CVD 法に ECR プラズマ技術を適用したAFTEX-1000 は、低温、低ダメージの成膜が可能であり、ECR スパッタ装置と異なる新たな薄膜を提供していく。３－２．原子層堆積装置（AFALD8）原子層堆積法は、成膜したい材料の元素を含む液体原料を気化して成膜対象の表面に吸着させ、その後に酸素や窒素と化学反応をさせて成膜する方法である。この成膜方法は、原子レベルでの膜厚制御に優れており、複雑な三次元構造でも均一な厚さの膜を形成できることが特長で、ゲート酸化膜や高誘電率絶縁膜、拡散バリア等で広く用いられており、現代の電子デバイスの小型化と性能向上に不可欠となっている。AFALD8 は、ミリ秒単位で制御されたプラズマ援用で反応性を高め、高緻密 ・高品質な薄膜を形成できる成膜装置として、研究開発から本格量産までに対応している。当社のコアコンピタンスである「ECR プラズマ技術」は、製品紹介で触れた通り、日本電信電話株式会社が開発した技術を継承したものである。この「ECR プラズマ技術」を日本製鋼所グループに定着させ、新たな製品へと展開を図るべく、イノベーションマネージメント本部の協力を得て開発を行っている。この ECR プラズマ技術をもって日本製鋼所グループの電子デバイスビジネスの一翼となり、来るべき超スマート社会へ貢献していく所存である。※ AFTEX Ⓡは、JSW アフティ株式会社の登録商標である。会 社 紹 介
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